对比图
型号 JAN2N3439 JANTXV2N3439L JANTXV2N3439UA
描述 此系列高频，外延平面型晶体管具有低饱和电压。 This family of high-frequency, epitaxial planar transistors feature low saturation voltage.Trans GP BJT NPN 350V 1A 3Pin TO-5UA NPN 350V 1A
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 3 - 4
封装 TO-39-3 TO-5 SMD-4
极性 - - NPN
击穿电压(集电极-发射极) 350 V 350 V 350 V
集电极最大允许电流 - - 1A
最小电流放大倍数(hFE) 40 @20mA, 10V 40 @20mA, 10V 40 @20mA, 10V
额定功率(Max) 800 mW 800 mW 800 mW
工作温度(Max) 200 ℃ - 200 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 800 mW - 800 mW
频率 40 MHz - -
耗散功率 800 mW - -
最大电流放大倍数(hFE) 160 @20mA, 10V - -
封装 TO-39-3 TO-5 SMD-4
材质 Silicon - Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bulk Bulk Bulk
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead
ECCN代码 EAR99 - -