对比图
型号 IXTA120N075T2 SPB20N60C3 STP140NF75
描述 Mosfet n-Ch 75V 120A To-263INFINEON SPB20N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STP140NF75 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 7.5 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-220-3
额定电压(DC) - 650 V 75.0 V
额定电流 - 20.7 A 120 A
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 190 mΩ 0.0075 Ω
极性 - N-Channel N-Channel
耗散功率 250W (Tc) 208 W 310 W
阈值电压 - 3 V 4 V
输入电容 - 4.50 nF 5000 pF
漏源极电压(Vds) 75 V 650 V 75 V
漏源击穿电压 - - 75.0 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) - 20.7 A 120 A
上升时间 - 5 ns 140 ns
输入电容(Ciss) 4740pF @25V(Vds) 2400pF @25V(Vds) 5000pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 208 W 310 W
下降时间 - 4.5 ns 90 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 250W (Tc) 208W (Tc) 310W (Tc)
额定功率 - 208 W -
通道数 - 1 -
工作结温(Max) - 150 ℃ -
长度 - 10.31 mm 10.4 mm
宽度 - 9.25 mm 4.6 mm
高度 - 4.57 mm 9.15 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2014/06/16
ECCN代码 - EAR99 EAR99