对比图
型号 BSZ035N03LS G FDMC7664 FDMC8554
描述 Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8Pin TSDSONN沟道MOSFET的PowerTrench 30 V ， 18.8 A， 4.2米？ N-Channel PowerTrench® MOSFET 30 V, 18.8 A, 4.2 mPowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 TSDSON-8 MLP-8 Power-33-8
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 69.0 W 2.3 W 2 W
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 20 V
上升时间 5.4 ns 7 ns 10 ns
输入电容(Ciss) 3300pF @15V(Vds) 4865pF @15V(Vds) 3380pF @10V(Vds)
下降时间 5 ns 6 ns 7 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2100 mW 2.3W (Ta), 45W (Tc) 2W (Ta), 41W (Tc)
漏源极电阻 - 0.0036 Ω 3.60 mΩ
阈值电压 - 1.9 V -
连续漏极电流(Ids) - 18.8A 16.5 A
额定功率(Max) - 2.3 W 2 W
输入电容 - - 3.38 nF
栅电荷 - - 62.0 nC
漏源击穿电压 - - 20.0 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
长度 3.3 mm 3.3 mm 3 mm
高度 1.10 mm 0.75 mm 0.95 mm
封装 TSDSON-8 MLP-8 Power-33-8
宽度 - 3.3 mm 3 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -
ECCN代码 - - EAR99