MTD6N15和MTD6N15T4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MTD6N15 MTD6N15T4 MTD6N15T4G

描述 TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 150 VOLTS RDS(on) = 0.3Ω功率场效应晶体管DPAK封装的表面贴装 Power Field Effect Transistor DPAK for Surface MountON SEMICONDUCTOR  MTD6N15T4G  场效应管, MOSFET, N沟道, 150V, 6A, D-PAK

数据手册 ---

制造商 Motorola (摩托罗拉) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

封装 - TO-252-3 TO-252-3

引脚数 - - 3

额定电压(DC) - 150 V 150 V

额定电流 - 6.00 A 6.00 A

漏源极电阻 - 300 mΩ 0.3 Ω

极性 - N-Channel N-Channel

耗散功率 - 1.25W (Ta), 20W (Tc) 50 W

漏源极电压(Vds) - 150 V 150 V

漏源击穿电压 - 150 V 150 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) - 6.00 A 6.00 A

输入电容(Ciss) - 1200pF @25V(Vds) 1200pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) - 1.25W (Ta), 20W (Tc) 1.25W (Ta), 20W (Tc)

通道数 - - 1

针脚数 - - 3

阈值电压 - - 4.5 V

上升时间 - - 180 ns

额定功率(Max) - - 1.25 W

下降时间 - - 100 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

封装 - TO-252-3 TO-252-3

长度 - - 6.73 mm

宽度 - - 6.22 mm

高度 - - 2.38 mm

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 - Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2016/06/20

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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