MUN5316DW1T1G和PUMD6

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MUN5316DW1T1G PUMD6 MUN5316DW1T1

描述 MUN 系列 50 V 100 mA 4.7 kOhm NPN/PNP 双 偏置电阻晶体管 - SOT-363NXP  PUMD6  双极晶体管阵列, NPN, PNP, 50 V, 200 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 SC-88-6 SOT-363 SC-88-6

针脚数 - 6 -

极性 NPN, PNP NPN, PNP NPN+PNP

耗散功率 0.385 W 200 mW 187 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 160 @5mA, 10V 200 160 @5mA, 10V

直流电流增益(hFE) - 200 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

额定电压(DC) 50.0 V - 50.0 V

额定电流 100 mA - 100 mA

最大电流放大倍数(hFE) 160 @5mA, 10V - 160 @5mA, 10V

额定功率(Max) 250 mW - 250 mW

耗散功率(Max) 385 mW - 385 mW

通道数 2 - -

封装 SC-88-6 SOT-363 SC-88-6

长度 2 mm - 2 mm

宽度 1.25 mm - 1.25 mm

高度 0.9 mm - 0.9 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台