对比图
型号 IPI100N06S3L-04 IPP100N06S3L-04 2SK3271-01
描述 的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-Transistor的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-TransistorTO-3P N-CH 60V 100A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) FUJI (富士电机)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-262 TO-220-3-1 TO-220
额定电压(DC) 55.0 V 55.0 V -
额定电流 100 A 100 A -
极性 N-CH N-CH N-CH
输入电容 26.2 nF 26.2 nF 9000pF @25V
栅电荷 550 nC 550 nC -
漏源极电压(Vds) 55.0 V 55 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 100 A 100 A 100A
上升时间 58 ns 58 ns 200 ns
输入电容(Ciss) 17270pF @25V(Vds) 17270pF @25V(Vds) -
下降时间 55 ns 55 ns 135 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 214000 mW 214W (Tc) -
正向电压 - - 1.00 V
漏源极电阻 - - 6.5 mΩ
耗散功率 - 214 W 155 W
漏源击穿电压 - - 60 V
封装 TO-262 TO-220-3-1 TO-220
长度 - 10 mm 15.5 mm
宽度 - 4.4 mm -
高度 - 15.65 mm -
产品生命周期 Obsolete Obsolete Active
包装方式 Tube Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃