BD434和BD438

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD434 BD438 BD434S

描述 STMICROELECTRONICS  BD434  单晶体管 双极, PNP, 22 V, 36 W, 4 A, 140 hFESTMICROELECTRONICS  BD438.  单晶体管 双极, PNP, 45 V, 36 W, 4 A, 30 hFE中功率线性和开关应用 Medium Power Linear and Switching Applications

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

针脚数 3 3 -

极性 PNP Dual N-Channel, Dual P-Channel PNP

耗散功率 36 W 36 W 36 W

击穿电压(集电极-发射极) 22 V 45 V 22 V

最小电流放大倍数(hFE) 40 @10mA, 5V 30 @10mA, 5V 40 @10mA, 5V

额定功率(Max) 36 W 36 W 36 W

直流电流增益(hFE) 140 130 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ 65 ℃

耗散功率(Max) 36000 mW 36 W 36 W

频率 - 3 MHz 3 MHz

额定功率 - 36 W -

最大电流放大倍数(hFE) - 130 -

额定电压(DC) - - -22.0 V

额定电流 - - -4.00 A

增益频宽积 - - 3 MHz

集电极最大允许电流 - - 4A

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

长度 - 7.8 mm 8 mm

宽度 - 2.7 mm 3.25 mm

高度 - 10.8 mm 11 mm

材质 Silicon Silicon -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Tube Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 - - EAR99

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