对比图
型号 BUK7510-100B BUK7510-55AL PSMN015-100P,127
描述 MOS(场效应管)/BUK7510-100B 管装N沟道的TrenchMOS标准水平FET N-channel TrenchMOS standard level FET晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 100 V, 0.012 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3
引脚数 - - 3
额定电压(DC) 100 V - -
额定电流 110 A - -
漏源极电压(Vds) 100 V 55 V 100 V
输入电容(Ciss) 6773pF @25V(Vds) - 4900pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 300 W - 300 W
耗散功率(Max) 300W (Tc) - 300W (Tc)
极性 - N-CH -
连续漏极电流(Ids) - 122A -
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 0.012 Ω
耗散功率 - - 300 W
阈值电压 - - 3 V
输入电容 - - 4900 pF
上升时间 - - 65 ns
下降时间 - - 50 ns
工作温度(Max) - - 175 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 Tube - Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅