对比图
型号 JANS2N3501UB JANTXV2N3501UB JAN2N3501UB
描述 NPN 150V 0.3ATrans GP BJT NPN 150V 0.3A 3Pin Case UB抗辐射硅NPN开关晶体管 RADIATION HARDENED NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 4
封装 Case SMD-3 SMD-3
极性 NPN - -
耗散功率 0.5 W 0.5 W -
击穿电压(集电极-发射极) 150 V 150 V 150 V
集电极最大允许电流 0.3A - -
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 500 mW 500 mW 500 mW
最小电流放大倍数(hFE) - 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V
额定功率(Max) - 500 mW 500 mW
封装 Case SMD-3 SMD-3
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - Bulk -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 - Contains Lead Contains Lead
ECCN代码 - EAR99 -