CSD22204W和CSD22206W

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CSD22204W CSD22206W CSD22202W15

描述 CSD22204W 8V P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET-8V、P 沟道 NexFET MOSFET™、单路、WLP 1.5x1.5、5.7mΩ 9-DSBGA -55 to 150P 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD22202W15

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 9 9 9

封装 BGA-9 BGA DSBGA-9

极性 P-CH - P-CH

耗散功率 1.7 W 1.7 W 1.5 W

漏源极电压(Vds) 8 V - 8 V

连续漏极电流(Ids) 5A - 10A

上升时间 600 ns 17 ns 8.4 ns

输入电容(Ciss) 1130pF @4V(Vds) 1750pF @4V(Vds) 1390pF @4V(Vds)

下降时间 2290 ns 45 ns 38 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.7W (Ta) 1700 mW 1.5W (Ta)

长度 - - 1.5 mm

宽度 - - 1.5 mm

高度 - - 0.62 mm

封装 BGA-9 BGA DSBGA-9

材质 - - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 正在供货 Active 正在供货

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

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