IRFB3207PBF和STP140NF75

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFB3207PBF STP140NF75 IRFZ14PBF

描述 N沟道,75V,180A,4.5mΩ@10VSTMICROELECTRONICS  STP140NF75  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 7.5 mohm, 10 V, 4 V功率MOSFET Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 75.0 V 75.0 V 60.0 V

额定电流 180 A 120 A 10.0 A

漏源极电阻 4.5 mΩ 0.0075 Ω 0.2 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 300 W 310 W 43 W

产品系列 IRFB3207 - -

输入电容 7600pF @50V 5000 pF -

漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 60 V

漏源击穿电压 75 V 75.0 V 60.0 V

连续漏极电流(Ids) 180 A 120 A 10.0 A

上升时间 120 ns 140 ns 50 ns

输入电容(Ciss) 7600pF @50V(Vds) 5000pF @25V(Vds) 300pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 300 W 310 W 43 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

针脚数 - 3 3

阈值电压 - 4 V 2 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

下降时间 - 90 ns 19 ns

耗散功率(Max) - 310W (Tc) 43 W

长度 10.66 mm 10.4 mm 10.41 mm

高度 9.02 mm 9.15 mm 9.01 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

宽度 - 4.6 mm 4.7 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

最小包装 - - 50

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2014/06/16 -

ECCN代码 - EAR99 -

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