对比图
型号 FQB6N70TM STB9NK70ZT4 STB6N62K3
描述 N沟道 700V 6.2AN沟道700V - 1欧姆 - 7.5A TO- 220 / FP / D2PAK / I2PAK / TO- 247齐纳保护SuperMESH⑩Power MOSFET N-CHANNEL 700V - 1ohm - 7.5A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFETN 通道 MDmesh™ K3 系列，SuperMESH3™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
引脚数 - - 3
额定电压(DC) 700 V 700 V -
额定电流 6.20 A 7.50 A -
通道数 1 - -
漏源极电阻 1.16 Ω 1.20 Ω 0.95 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 3.13 W 115W (Tc) 90 W
漏源极电压(Vds) 700 V 700 V 620 V
漏源击穿电压 700 V 700 V -
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -
连续漏极电流(Ids) 6.20 A 7.50 A 5.5A
上升时间 70 ns - -
输入电容(Ciss) 1400pF @25V(Vds) 1370pF @25V(Vds) 875pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 3.13 W 115 W 90 W
下降时间 50 ns - -
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ - -
耗散功率(Max) 3.13W (Ta), 142W (Tc) 115W (Tc) 90W (Tc)
阈值电压 - - 3.75 V
长度 10.67 mm - 10.75 mm
宽度 9.65 mm - 10.4 mm
高度 4.83 mm - 4.6 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Obsolete Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2014/06/16
ECCN代码 EAR99 - -