对比图
型号 2N7002ET1G 2N7002L 2N7002E-T1-E3
描述 ON SEMICONDUCTOR 2N7002ET1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 310 mA, 60 V, 0.86 ohm, 10 V, 1 V小信号MOSFET 60 V 115 mA时， N沟道SOT- 23 Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23VISHAY 2N7002E-T1-E3 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 240mA TO-236, 整卷
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 TO-236
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.86 Ω 7.5 Ω 3 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 420 mW 0.2 W 350 mW
阈值电压 1 V 2.5 V 2 V
输入电容 26.7 pF 12.8 pF -
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 310 mA 0.115A 240 mA
输入电容(Ciss) 26.7pF @25V(Vds) 50pF @25V(Vds) 21pF @5V(Vds)
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300 mW 200mW (Ta) 350 mW
漏源击穿电压 - - 70.0 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
无卤素状态 Halogen Free - -
通道数 1 - -
上升时间 1.2 ns - -
正向电压(Max) 1.2 V - -
额定功率(Max) 300 mW - -
下降时间 3.6 ns - -
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 TO-236
高度 0.94 mm - 1.02 mm
长度 2.9 mm - -
宽度 1.3 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Unknown Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
最小包装 - 3000 -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
ECCN代码 EAR99 - -