STF16NK60Z和STF4N62K3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STF16NK60Z STF4N62K3 STU4N62K3

描述 N沟道600 V , 038 Ω , 14 A, TO- 220 , TO- 220FP , TO- 247齐纳保护超网?功率MOSFET N-channel 600 V, 038 Ω, 14 A, TO-220, TO-220FP, TO-247 Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFETN 通道 MDmesh™ K3 系列,SuperMESH3™, STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS  STU4N62K3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.8 A, 620 V, 1.7 ohm, 10 V, 3.75 V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-251-3

引脚数 - 3 3

耗散功率 40W (Tc) 25 W 70 W

漏源极电压(Vds) 600 V 620 V 620 V

输入电容(Ciss) 2650pF @25V(Vds) 550pF @50V(Vds) 550pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 40 W 25 W 70 W

耗散功率(Max) 40W (Tc) 25W (Tc) 70W (Tc)

漏源极电阻 - 1.7 Ω 1.7 Ω

极性 - N-Channel N-Channel

阈值电压 - 3.75 V 3.75 V

上升时间 - 9 ns 9 ns

下降时间 - 19 ns 19 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

针脚数 - - 3

连续漏极电流(Ids) - - 3.8A

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-251-3

长度 - 10.4 mm 6.6 mm

宽度 - 4.6 mm 2.4 mm

高度 - 16.4 mm 6.9 mm

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

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