对比图
描述 小信号P沟道SOT23封装场效应管ON SEMICONDUCTOR BSS84LT1G 晶体管, MOSFET, P沟道, 130 mA, -50 V, 10 ohm, 5 V, -2 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS84 晶体管, MOSFET, P沟道, -130 mA, -50 V, 1.2 ohm, -5 V, -1.7 V
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
额定电压(DC) -50.0 V -50.0 V -50.0 V
额定电流 -130 mA -130 mA -130 mA
额定功率 - 0.225 W 360 mW
无卤素状态 - Halogen Free -
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 10.0 Ω 10 Ω 1.2 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 225 mW 225 mW 360 mW
阈值电压 - 2 V -
输入电容 30.0 pF 36pF @5V 73.0 pF
漏源极电压(Vds) 50 V 50 V 50 V
漏源击穿电压 50.0 V 50 V -50.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 130 mA 130 mA 130 mA
上升时间 1 ns 9.7 ns 6.3 ns
正向电压(Max) - 2.2 V -
输入电容(Ciss) 30pF @5V(Vds) 30pF @5V(Vds) 73pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 225 mW 360 mW
下降时间 8 ns 1.7 ns 4.8 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 225mW (Ta) 225 mW 360mW (Ta)
栅电荷 - - 1.30 nC
长度 2.9 mm 2.9 mm 2.92 mm
宽度 1.3 mm 1.3 mm 1.3 mm
高度 0.94 mm 0.94 mm 0.93 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99