IPD26N06S2L-35和SPD26N06S2L-35

对比图

型号 IPD26N06S2L-35 SPD26N06S2L-35

描述 的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) - 55.0 V

额定电流 - 30.0 A

极性 N-CH N-CH

耗散功率 68 W 68W (Tc)

输入电容 - 790 pF

栅电荷 - 24.0 nC

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 30A 30.0 A

输入电容(Ciss) - 790pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) - 68W (Tc)

通道数 1 -

漏源极电阻 27 mΩ -

阈值电压 1.2 V -

漏源击穿电压 55 V -

上升时间 18 ns -

下降时间 11 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -

封装 TO-252-3 TO-252-3

长度 6.5 mm -

宽度 6.22 mm -

高度 2.3 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead

ECCN代码 EAR99 -