对比图
型号 IRF1010EZPBF STP65NF06 STP80NF55-08
描述 INTERNATIONAL RECTIFIER IRF1010EZPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 60V, 75A TO-220AB 新STMICROELECTRONICS STP65NF06 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 11.5 mohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS STP80NF55-08 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 55.0 V
额定电流 75.0 A 60.0 A 80.0 A
通道数 - 1 -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 8.5 mΩ 0.0115 Ω 0.008 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 140 W 110 W 300 W
阈值电压 4 V 4 V 3 V
输入电容 2810pF @25V 1.70 nF -
栅电荷 - 75.0 nC -
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 55 V
漏源击穿电压 60 V 60 V 55.0 V
连续漏极电流(Ids) 75.0 A 30.0 A 80.0 A
上升时间 90.0 ns 60 ns 110 ns
输入电容(Ciss) 2810pF @25V(Vds) 1700pF @25V(Vds) 3850pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 140 W 110 W 300 W
下降时间 - 16 ns 35 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 110W (Tc) 300 W
产品系列 IRF1010EZ - -
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
长度 10.67 mm 10.4 mm 10.4 mm
宽度 - 4.6 mm 4.6 mm
高度 9.02 mm 15.75 mm 15.75 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Rail, Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17