对比图
型号 IRF3710 STP40NF10 STP60NF10
描述 Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3Pin (3+Tab) TO-220ABSTMICROELECTRONICS STP40NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 100 V, 0.025 ohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STP60NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 19 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 N沟道MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V
额定电流 57.0 A 50.0 A 80.0 A
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 23.0 mΩ 0.025 Ω 19 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 200 W 150 W 300 W
阈值电压 - 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 - 100 V 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 57.0 A 50.0 A 40.0 A
上升时间 58.0 ns 64 ns 56 ns
输入电容(Ciss) - 2180pF @25V(Vds) 4270pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 150 W 300 W
下降时间 - 13 ns 23 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 150W (Tc) 300W (Tc)
产品系列 IRF3710 - -
额定功率 - 150 W -
长度 - 10.4 mm 10.4 mm
宽度 - 4.6 mm 4.6 mm
高度 - 9.15 mm 15.75 mm
封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bulk Tube Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99