IRF7832和IRF7862TRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7832 IRF7862TRPBF NTMFS4935NT1G

描述 SOIC N-CH 30V 20AN 沟道 30 V 2.5 W 30 nC Hexfet 功率 MOSFET 表面贴装 - SOIC-8N 通道功率 MOSFET,30V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 20.0 A - -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.50 W 2.5 W 48 W

产品系列 IRF7832 - -

漏源极电压(Vds) 30.0 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V 30 V -

连续漏极电流(Ids) 20.0 A 21A -

上升时间 12.3 ns 19 ns 20 ns

额定功率 - 2.5 W -

通道数 - 1 1

针脚数 - 8 8

漏源极电阻 - 4.5 mΩ 0.0027 Ω

阈值电压 - 2.35 V 1.63 V

输入电容 - 4090 pF -

输入电容(Ciss) - 4090pF @15V(Vds) 4850pF @15V(Vds)

额定功率(Max) - 2.5 W 930 mW

下降时间 - 11 ns 6.6 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 2.5W (Ta) 930mW (Ta), 48W (Tc)

封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 4.9 mm 5.1 mm

宽度 - 3.9 mm 6.1 mm

高度 - 1.75 mm 1.1 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2016/06/20

REACH SVHC标准 - - No SVHC

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

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