对比图
型号 AUIRFZ44ZS PSMN015-60BS STB60NF06T4
描述 INFINEON AUIRFZ44ZS 晶体管, MOSFET, N沟道, 51 A, 55 V, 0.0111 ohm, 10 V, 2 VNXP PSMN015-60BS 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0126 ohm, 10 V, 3 VN沟道60V - 0.014ヘ - 60A - D2PAK / I2PAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 60V - 0.014ヘ - 60A - D2PAK/I2PAK STripFET⑩ II Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263 TO-263-3
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.0111 Ω 0.0126 Ω 15.0 mΩ
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 80 W 86 W 110 W
阈值电压 2 V 3 V -
漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 60 V
输入电容(Ciss) 1420pF @25V(Vds) 1220pF @30V(Vds) 1810pF @25V(Vds)
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 80W (Tc) 86 W 110W (Tc)
额定电压(DC) - - 60.0 V
额定电流 - - 60.0 A
漏源击穿电压 - - 60.0 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 51A - 60.0 A
上升时间 68 ns - 108 ns
额定功率(Max) - - 110 W
下降时间 41 ns - 20 ns
额定功率 80 W - -
长度 10.67 mm 10.3 mm -
宽度 11.3 mm 11 mm -
高度 4.83 mm 4.5 mm -
封装 TO-263-3 TO-263 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tube - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant Exempt RoHS Compliant
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
含铅标准 Lead Free - Lead Free
ECCN代码 - - EAR99