对比图
型号 FDS6984AS STS9D8NH3LL STS8DNF3LL
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6984AS 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道 + 肖特基, 8.5 A, 30 V, 0.017 ohm, 10 V, 1.7 V30V,9A,0.012Ω,双N沟道功率MOSFETSTS8DNF3LL 系列 双 N 沟道 30 V 0.02 Ω 12.5 nC STripFET™ II Mosfet- SOIC-8
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) - - 30.0 V
额定电流 - - 8.00 A
漏源极电阻 0.017 Ω - 0.02 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel, Dual N-Channel
耗散功率 2 W 2 W 2 W
阈值电压 1.7 V - 1 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30.0 V - 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V - ±16.0 V
连续漏极电流(Ids) 5.50 A, 8.50 A 8A/9A 8.00 A
上升时间 6 ns - 32 ns
输入电容(Ciss) 420pF @15V(Vds) 857pF @25V(Vds) 800pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 900 mW 2 W 1.6 W
下降时间 2 ns - 11 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2000 mW 2000 mW 2000 mW
针脚数 8 - -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
长度 5 mm - -
宽度 3.99 mm - -
高度 1.5 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17
REACH SVHC标准 No SVHC - -
ECCN代码 EAR99 - -