对比图
型号 IPS1011SPBF VNB35N07TR-E VNB20N07-E
描述 Power Switch Lo Side 85A 3Pin(2+Tab) D2PAK TubeSTMICROELECTRONICS VNB35N07TR-E 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 80 V, 28 mohm, 10 V, 3 VOMNIFET 全自动保护功率 MOSFET，STMicroelectronicsOMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器，根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载，尤其是汽车环境。线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹 ### 智能电源开关，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 FET驱动器MOS管FET驱动器
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作电压 36.0V (max) - -
额定功率 3.1 W - 83 W
输出接口数 1 1 1
输入电压(DC) 5.50 V - -
输出电流 6.5 A 35 A 28 A
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 3.1 W 125 W 83 W
产品系列 IPS1011S - -
连续漏极电流(Ids) 6.50 A 18.0 A 20.0 A
输出电流(Max) 6.5 A 25 A 14 A
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -40 ℃ - -
输入电压 4.5V ~ 5.5V 18 V 18 V
供电电流 - 0.25 mA 0.25 mA
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.028 Ω 50 mΩ
阈值电压 - 3 V -
漏源极电压(Vds) - 80 V -
输入电压(Max) - 18 V 18 V
输出电流(Min) - 25 A 14 A
输入数 - 1 1
耗散功率(Max) - 125000 mW 83000 mW
通道数 - - 1
漏源击穿电压 - - 70 V
上升时间 - - 240 ns
下降时间 - - 150 ns
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 - 10.2 mm 10.28 mm
宽度 - 9.15 mm 9.35 mm
高度 - - 4.6 mm
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) - -
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 EAR99