对比图
型号 STP20NM60FP TK20A60U(Q,M) FCPF20N60
描述 STMICROELECTRONICS STP20NM60FP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 250 mohm, 30 V, 4 VTO-220SIS N-CH 600V 20AFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCPF20N60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 150 mohm, 10 V, 5 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Toshiba (东芝) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 650 V - 600 V
额定电流 20.0 A - 20.0 A
通道数 1 1 1
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.25 Ω 190 mΩ 150 mΩ
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 45 W 45 W 39 W
阈值电压 4 V - 5 V
输入电容 - - 3.08 nF
栅电荷 - - 98.0 nC
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
漏源击穿电压 600 V 600 V 600 V
栅源击穿电压 - - ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 80.0 A 20A 20.0 A
上升时间 20 ns 40 ns 140 ns
输入电容(Ciss) 1500pF @25V(Vds) 1470pF @10V(Vds) 3080pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 45 W 45 W 39 W
下降时间 11 ns 12 ns 65 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 45W (Tc) 45W (Tc) 39 W
长度 10.4 mm 10 mm 10.16 mm
宽度 4.6 mm 4.5 mm 4.7 mm
高度 9.3 mm 15 mm 9.19 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tray Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 - EAR99