对比图
描述 LET9060C 系列 945 MHz 130 W 80 V N沟道 射频 功率 晶体管 MOSFET - M-243射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD
数据手册 --
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管晶体管
引脚数 3 3
封装 M-243 PowerSO-10RF
频率 945 MHz 960 MHz
耗散功率 130 W 170000 mW
输出功率 90 W 60 W
增益 18 dB 17.2 dB
测试电流 400 mA 300 mA
输入电容(Ciss) 77pF @28V(Vds) 74pF @26V(Vds)
工作温度(Max) 200 ℃ 165 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 130000 mW 170000 mW
额定电压 80 V 80 V
漏源极电压(Vds) 80 V -
封装 M-243 PowerSO-10RF
产品生命周期 Active Active
包装方式 Bulk Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 -