对比图
型号 IRFB3207ZGPBF STP160N75F3 STP140NF75
描述 Single N-Channel 75V 300W 260NC Through Hole Hexfet Power MOSFET - TO-220ABSTMICROELECTRONICS STP160N75F3 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 75 V, 0.0035 ohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS STP140NF75 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 7.5 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 300 W 330 W 310 W
产品系列 IRFB3207ZG - -
漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V
连续漏极电流(Ids) 210 A 60.0 A 120 A
输入电容(Ciss) 6920pF @50V(Vds) 6750pF @25V(Vds) 5000pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 300 W 330 W 310 W
额定电压(DC) - - 75.0 V
额定电流 - - 120 A
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 3.5 mΩ 0.0075 Ω
阈值电压 - 4 V 4 V
输入电容 - - 5000 pF
漏源击穿电压 - - 75.0 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
上升时间 - 65 ns 140 ns
下降时间 - 15 ns 90 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 330W (Tc) 310W (Tc)
通道数 - 1 -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 - 10.4 mm 10.4 mm
宽度 - 4.6 mm 4.6 mm
高度 - 15.75 mm 9.15 mm
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2014/06/16
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
ECCN代码 - EAR99 EAR99