PDTB113ET和PDTB113ET,215

对比图

型号 PDTB113ET PDTB113ET,215 PDTB113ET,235

描述 PNP 晶体管，NXP### 数字晶体管，NXP配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。TO-236AB PNP 50V 500mASmall Signal Bipolar Transistor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 3 -

封装 TO-236 SOT-23-3 -

极性 PNP, P-Channel PNP -

耗散功率 250 mW 0.25 W -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V -

集电极最大允许电流 500mA 500mA -

最小电流放大倍数(hFE) 33 33 @50mA, 5V -

额定功率(Max) - 250 mW -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 250 mW -

高度 1 mm 1 mm -

封装 TO-236 SOT-23-3 -

长度 3 mm - -

宽度 1.4 mm - -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -