BC846PN和MUN5316DW1T1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC846PN MUN5316DW1T1 RN4990(TE85L)

描述 BC846PN NPN+PNP复合三极管 80V/-80V 100mA/-100mA 200~450 SOT-363 标记10 用于开关/数字电路双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor TransistorsUS NPN+PNP 50V 100mA

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) Toshiba (东芝)

分类 双极性晶体管晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 6 -

封装 SOT-363-6-1 SC-88-6 US-6

额定电压(DC) - 50.0 V -

额定电流 - 100 mA -

极性 NPN+PNP NPN+PNP NPN+PNP

耗散功率 - 187 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 65 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 0.1A 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) - 160 @5mA, 10V -

最大电流放大倍数(hFE) - 160 @5mA, 10V -

额定功率(Max) - 250 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 385 mW -

长度 - 2 mm -

宽度 - 1.25 mm -

高度 - 0.9 mm -

封装 SOT-363-6-1 SC-88-6 US-6

产品生命周期 End of Life Unknown Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant -

含铅标准 Lead Free Contains Lead -

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