MUN5312DW1T1G和UMD2NTR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MUN5312DW1T1G UMD2NTR MUN5312DW1T2G

描述 ON SEMICONDUCTOR  MUN5312DW1T1G  晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, 1 电阻比率, SOT-363 新50V,30mA,NPN/PNP复合晶体管MUN5312DW1: 互补双极数字晶体管 (BRT)

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 SC-88-6 SC-70-6 SOT-363

极性 NPN, PNP NPN, PNP NPN+PNP

耗散功率 0.385 W 150 mW 0.385 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 60 @5mA, 10V 56 @5mA, 5V 60 @5mA, 10V

额定功率(Max) 250 mW 150 mW 385 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 385 mW 150 mW 385 mW

额定电压(DC) 50.0 V - -

额定电流 100 mA 30.0 mA -

额定功率 - 0.15 W -

增益带宽 - 250 MHz -

封装 SC-88-6 SC-70-6 SOT-363

长度 2 mm 2 mm -

宽度 1.25 mm 1.25 mm -

高度 0.9 mm 0.9 mm -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -

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