BC369ZL1和BC369,112

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC369ZL1 BC369,112 BC369ZL1G

描述 电压和电流均为负 Voltage and Current are NegativeSPT PNP 20V 1A电压和电流均为负 Voltage and Current are Negative

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

引脚数 - - 3

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 625 mW 830 mW 0.625 W

增益频宽积 56 MHz 140 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) 20 V 20 V 20 V

集电极最大允许电流 1A 1A 1A

最小电流放大倍数(hFE) 85 @500mA, 1V 85 @500mA, 1V 85 @500mA, 1V

额定功率(Max) 625 mW 830 mW 625 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ 65 ℃ -55 ℃

频率 - - 65 MHz

额定电压(DC) -20.0 V - -20.0 V

额定电流 -1.00 A - -1.00 A

额定功率 - - 800 mW

耗散功率(Max) - - 625 mW

长度 5.2 mm 4.8 mm -

宽度 4.19 mm 4.2 mm -

高度 5.33 mm 5.2 mm -

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 Tape Tube Tape

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

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