LMV358M/NOPB和LMV358MX/NOPB

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LMV358M/NOPB LMV358MX/NOPB MCP6002-I/SN

描述 LMV 系列TEXAS INSTRUMENTS  LMV358MX/NOPB  芯片, 运算放大器, 低电压, 2路, 1MHz, SOIC8MICROCHIP  MCP6002-I/SN  运算放大器, 双路, AEC-Q100, 1 MHz, 2个放大器, 0.6 V/µs, 1.8V 至 6V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) Microchip (微芯)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 5.50V (max) - 1.80V (min)

工作电压 - - 1.8V ~ 5.5V

输出电流 60.0 mA 60.0 mA 23 mA

供电电流 210 µA 210 µA 100 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 8 8 8

共模抑制比 50 dB 50 dB 76 dB

静态电流 - - 170 µA

输入补偿漂移 5.00 µV/K 5.00 µV/K 2.00 µV/K

带宽 1 MHz 1 MHz 1 MHz

转换速率 1.00 V/μs 1.00 V/μs 600 mV/μs

增益频宽积 1 MHz 1 MHz 1 MHz

输入补偿电压 1.7 mV 1.7 mV 4.5 mV

输入偏置电流 15 nA 15 nA 1 pA

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 1 MHz 1 MHz 1 MHz

共模抑制比(Min) 50 dB 50 dB 60 dB

电源电压 2.7V ~ 5.5V 2.7V ~ 5.5V 1.8V ~ 6V

电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V 6 V

电源电压(Min) 2.7 V 2.7 V -

长度 4.9 mm - 4.9 mm

宽度 3.9 mm - 3.9 mm

高度 1.45 mm 1.5 mm 1.25 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台