对比图
型号 STU12N65M5 STU8N65M5 STI200N6F3
描述 STMICROELECTRONICS STU12N65M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8.5 A, 650 V, 0.39 ohm, 10 V, 4 VN 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsI2PAK N-CH 60V 120A
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-262-3
引脚数 3 3 -
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 70 W 70 W 330W (Tc)
漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 60 V
连续漏极电流(Ids) - - 120A
输入电容(Ciss) 900pF @100V(Vds) 690pF @100V(Vds) 6265pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 70W (Tc) 70W (Tc) 330W (Tc)
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.39 Ω 0.56 Ω -
阈值电压 4 V 4 V -
上升时间 17.6 ns 14 ns -
额定功率(Max) 70 W 70 W -
下降时间 23.4 ns 11 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-262-3
长度 - 6.6 mm -
宽度 - 2.4 mm -
高度 - 6.9 mm -
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 Silicon Silicon -
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free PB free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -