MMBTH10-4LT1G和MMBTH11

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBTH10-4LT1G MMBTH11 MMBTH10-4LT1

描述 NPN 25 V 225 mW 表面贴装 硅 晶体管 - SOT-23NPN 晶体管,高达 30V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。甚高频/超高频晶体管 VHF/UHF Transistor

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 650 MHz 650 MHz -

额定电压(DC) 25.0 V 25.0 V 25.0 V

额定电流 4.00 mA 50.0 mA 4.00 mA

无卤素状态 Halogen Free - -

针脚数 3 - -

极性 NPN - -

耗散功率 225 mW 225 mW 225 mW

击穿电压(集电极-发射极) 25 V 25 V 25 V

最小电流放大倍数(hFE) 120 @4mA, 10V 60 @4mA, 10V 120 @4mA, 10V

额定功率(Max) 225 mW 225 mW 225 mW

直流电流增益(hFE) 120 - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 225 mW 225 mW 225 mW

最大电流放大倍数(hFE) - 60 @4mA, 10V -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 - 2.9 mm 2.9 mm

宽度 - 1.3 mm 1.3 mm

高度 - 0.93 mm 0.94 mm

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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