IRLR110PBF和IRLR120NPBF

对比图

型号 IRLR110PBF IRLR120NPBF IRLR110TRPBF

描述 VISHAY  IRLR110PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 4.3 A, 100 V, 540 mohm, 5 V, 2 VN 通道功率 MOSFET 8A 至 12A，InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。N 沟道 100 V 0.54 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - TO-252

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252

额定功率 - 39 W -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.54 Ω 0.185 Ω 0.54 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 25 W 48 W 25 W

阈值电压 2 V 2 V 2 V

输入电容 250pF @25V 440pF @25V -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 100 V 100 V -

连续漏极电流(Ids) 4.30 A 10A 4.30 A

上升时间 47 ns 35 ns 47 ns

输入电容(Ciss) - 440pF @25V(Vds) -

下降时间 17 ns 22 ns 17 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 48W (Tc) -

额定电压(DC) 100 V - -

额定电流 4.30 A - -

长度 6.73 mm 6.73 mm -

宽度 6.22 mm 6.22 mm -

高度 2.38 mm 2.39 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252

材质 - Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 - Not Recommended for New Designs -

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17