PMV48XP和SI2305CDS-T1-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PMV48XP SI2305CDS-T1-GE3 FDN302P

描述 NXP  PMV48XP  晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -20 V, 0.048 ohm, -4.5 V, -1 VVISHAY  SI2305CDS-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -5.8 A, -8 V, 0.028 ohm, -4.5 V, -1 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDN302P  晶体管, MOSFET, P沟道, -2.4 A, -20 V, 55 mohm, -4.5 V, -1 V

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Vishay Semiconductor (威世) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23 SOT-23 SOT-23-3

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.048 Ω 0.028 Ω 55 mΩ

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 510 mW 1.7 W 500 mW

上升时间 - 20 ns 11 ns

输入电容(Ciss) - 960pF @4V(Vds) 882pF @10V(Vds)

下降时间 - 10 ns 11 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 0.415 W 0.96 W 500mW (Ta)

漏源极电压(Vds) 20 V - 20 V

连续漏极电流(Ids) 3.5A - -2.40 A

额定电压(DC) - - -20.0 V

额定电流 - - -2.40 A

通道数 - - 1

漏源击穿电压 - - 20 V

栅源击穿电压 - - ±12.0 V

额定功率(Max) - - 460 mW

长度 3 mm 3.04 mm 2.92 mm

宽度 1.4 mm 1.4 mm 1.4 mm

高度 1 mm 1.02 mm 0.94 mm

封装 SOT-23 SOT-23 SOT-23-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

产品生命周期 Unknown - Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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