对比图
型号 FQP32N20C STP55NF06 FQP32N20C_F080
描述 QFET® N 通道 MOSFET，11A 至 30A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 28A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
引脚数 3 3 -
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 156 W 30 W 156 W
漏源极电压(Vds) 200 V 60 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 28.0 A 50.0 A 28A
上升时间 - 50 ns 270 ns
输入电容(Ciss) 2200pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds)
下降时间 - 15 ns 210 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 156W (Tc) 110W (Tc) 156W (Tc)
额定电压(DC) 200 V 60.0 V -
额定电流 28.0 A 50.0 A -
额定功率 - 110 W -
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 88.0 mΩ 0.015 Ω -
阈值电压 - 3 V -
漏源击穿电压 200 V 60.0 V -
栅源击穿电压 ±30.0 V ±20.0 V -
额定功率(Max) 156 W 110 W -
长度 10.1 mm 10.4 mm 10.67 mm
宽度 4.7 mm 4.6 mm 4.7 mm
高度 9.4 mm 9.15 mm 16.3 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 - -