对比图
型号 FQPF4N25 SSS7N60 SPP02N60C3
描述 250V N沟道MOSFET 250V N-Channel MOSFETN-CH 600V 4AINFINEON SPP02N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 650 V, 2.7 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Samsung (三星) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
封装 TO-220-3 SFM TO-220-3
安装方式 Through Hole - Through Hole
引脚数 - - 3
极性 N-CH N-CH N-Channel
漏源极电压(Vds) 250 V 600 V 650 V
连续漏极电流(Ids) 2.8A 4A 1.80 A
耗散功率 32W (Tc) - 25 W
输入电容(Ciss) 200pF @25V(Vds) - 200pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 32W (Tc) - -
额定电压(DC) - - 650 V
额定电流 - - 1.80 A
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 2.7 Ω
阈值电压 - - 3 V
输入电容 - - 200 pF
栅电荷 - - 12.5 nC
上升时间 - - 3 ns
额定功率(Max) - - 25 W
下降时间 - - 12 ns
工作温度(Max) - - 150 ℃
封装 TO-220-3 SFM TO-220-3
长度 - - 10 mm
宽度 - - 4.4 mm
高度 - - 15.65 mm
产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete
包装方式 - - Tube
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃
RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17