对比图
型号 DS1230Y-200 DS1230Y-200IND+ DS1230Y-200+
描述 IC NVSRAM 256Kbit 200NS 28DIPMAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1230Y-200IND+ 芯片, 存储器, NVRAMMAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1230Y-200+ 芯片, 存储器, NVRAM
数据手册 ---
制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)
分类 存储芯片存储芯片RAM芯片
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 28 28 28
封装 EDIP-28 EDIP-28 EDIP-28
电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)
时钟频率 200 GHz 200 GHz 200 GHz
存取时间 200 ns 200 ns 200 ns
内存容量 32000 B 32000 B 32000 B
工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ 0 ℃
电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V
针脚数 - 28 28
电源电压(Max) - 5.5 V 5.5 V
电源电压(Min) - 4.5 V 4.5 V
长度 39.12 mm - 39.37 mm
宽度 18.8 mm - 18.8 mm
高度 9.4 mm - 9.35 mm
封装 EDIP-28 EDIP-28 EDIP-28
工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Bulk Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free