FDD6N50TF和FDD6N50TM

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDD6N50TF FDD6N50TM

描述 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFETN 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题,具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3

封装 TO-252-3 TO-252-3

通道数 1 1

漏源极电阻 900 mΩ 760 mΩ

极性 N-CH N-Channel

耗散功率 89 W 89 W

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V

漏源击穿电压 500 V 500 V

栅源击穿电压 - ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 6.00 A 6.00 A

输入电容(Ciss) 940pF @25V(Vds) 9400pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 89 W 89 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 89W (Tc) 89W (Tc)

额定电压(DC) 500 V -

额定电流 24.0 A -

输入电容 940 pF -

栅电荷 16.6 nC -

上升时间 55 ns -

下降时间 35 ns -

长度 6.73 mm 6.73 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm

高度 2.39 mm 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99

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