STD18N65M5和STL24NM60N

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STD18N65M5 STL24NM60N STB18N65M5

描述 N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsN沟道600 V , 0.200 Ω , 16 A PowerFLAT ?的8x8 HV的MDmesh ?二功率MOSFET N-channel 600 V, 0.200 Ω, 16 A PowerFLAT? 8x8 HV MDmesh? II Power MOSFETN 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 5 3

封装 TO-252-3 PowerFLAT-8x8-HV-5 TO-263-3

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.198 Ω 0.2 Ω 198 mΩ

耗散功率 110 W 125 W 110 W

阈值电压 4 V 4 V 4 V

输入电容 1240 pF - 1240 pF

漏源极电压(Vds) 650 V 600 V 650 V

上升时间 7 ns 16.5 ns 7 ns

输入电容(Ciss) 1240pF @100V(Vds) 1400pF @50V(Vds) 1240pF @100V(Vds)

额定功率(Max) 110 W 125 W 110 W

下降时间 9 ns 37 ns 11 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 110W (Tc) 3W (Ta), 125W (Tc) 110W (Tc)

通道数 - 1 1

漏源击穿电压 - 600 V 650 V

极性 - N-Channel -

长度 6.6 mm - 10.4 mm

宽度 6.2 mm - 9.35 mm

高度 2.4 mm - 4.6 mm

封装 TO-252-3 PowerFLAT-8x8-HV-5 TO-263-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - - EAR99

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