MRF6V2150NR1和MRFE6VP5150NR1

对比图

型号 MRF6V2150NR1 MRFE6VP5150NR1 MRF6V2150NBR5

描述 晶体管, 射频FET, 110 V, 450 MHz, 10 MHz, TO-270WB晶体管, 射频FET, 133 VDC, 952 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WBTrans RF MOSFET N-CH 110V 5Pin TO-272W T/R

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管晶体管

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 5 5 4

封装 TO-270 TO-270 TO-272

频率 220 MHz 230 MHz 220 MHz

额定电流 2.5 mA - 2.5 mA

无卤素状态 Halogen Free - Halogen Free

针脚数 4 4 -

耗散功率 150 W 952 W -

漏源极电压(Vds) 110 V - 110 V

漏源击穿电压 110V (min) - -

连续漏极电流(Ids) 2.50 mA - -

输出功率 150 W 150 W 150 W

增益 25 dB 26.1 dB 25 dB

测试电流 450 mA 100 mA 450 mA

输入电容(Ciss) 163pF @50V(Vds) 96.7pF @50V(Vds) 163pF @50V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ 225 ℃ 225 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -40 ℃ -65 ℃

额定电压 110 V 133 V 110 V

电源电压 50 V 50 V -

耗散功率(Max) - 952000 mW -

极性 - - N-Channel

封装 TO-270 TO-270 TO-272

工作温度 -65℃ ~ 225℃ -40℃ ~ 225℃ -

重量 - 1634.95 mg -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99