对比图
型号 STW20NK50Z STW8NK80Z IRFP450B
描述 N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STW8NK80Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.2 A, 800 V, 1.5 ohm, 10 V, 3.75 V500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-3-3
引脚数 3 3 -
通道数 1 - 1
漏源极电阻 0.23 Ω 1.5 Ω 310 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 190 W 140 W 205 W
漏源极电压(Vds) 500 V 800 V 500 V
漏源击穿电压 500 V 800 V 500 V
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 17.0 A 6.20 A 14.0 A
上升时间 20 ns 30 ns 130 ns
输入电容(Ciss) 2600pF @25V(Vds) 1320pF @25V(Vds) 3800pF @25V(Vds)
下降时间 15 ns 28 ns 125 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 190W (Tc) 140W (Tc) 205W (Tc)
额定电压(DC) 500 V 800 V -
额定电流 17.0 A 6.20 A -
针脚数 3 3 -
阈值电压 3.75 V 3.75 V -
额定功率(Max) 190 W 140 W -
额定功率 190 W - -
输入电容 2600 pF - -
长度 15.75 mm 15.75 mm 16.2 mm
宽度 5.15 mm 5.15 mm 5 mm
高度 20.15 mm 20.15 mm 20.1 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-3-3
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2014/06/16 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 - EAR99
香港进出口证 - - NLR