对比图
型号 IPP60R299CP IPW60R299CP STP16N65M5
描述 INFINEON IPP60R299CP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 0.27 ohm, 10 V, 3 VInfineon CoolMOS™CP 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能STMICROELECTRONICS STP16N65M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 650 V, 0.23 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-220-3
额定电压(DC) 600 V 600 V -
额定电流 11.0 A 11.0 A -
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 96 W 96W (Tc) 25 W
输入电容 - 1.10 nF -
栅电荷 - 29.0 nC -
漏源极电压(Vds) 650 V 600 V 650 V
连续漏极电流(Ids) 11.0 A 11.0 A 12A
上升时间 5 ns 5 ns 7 ns
输入电容(Ciss) 1100pF @100V(Vds) 1100pF @100V(Vds) 1250pF @100V(Vds)
额定功率(Max) - 96 W 90 W
下降时间 5 ns 5 ns 8 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 96 W 96W (Tc) 90W (Tc)
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.27 Ω - 0.23 Ω
阈值电压 3 V - 4 V
通道数 1 - -
长度 10 mm 16.03 mm 10.4 mm
宽度 4.4 mm 5.16 mm 4.6 mm
高度 15.65 mm 21.1 mm 9.15 mm
封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Not Recommended Obsolete Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99