对比图
型号 SIHP22N60E-E3 SPP20N60C3 SIHP22N60E-GE3
描述 N 通道 MOSFET，E 系列，低品质因数，Vishay SemiconductorVishay E 系列 MOSFET 电源是高电压晶体管，具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。 它们提供各种电流额定值。 典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 (PFC) 和开关模式电源 (SMPS)。### 特点低灵敏值 (FOM) RDS(on) x Qg 低输入电容 (Ciss) 低接通电阻（RDS（接通）） 超低栅极电荷 (Qg) 快速切换 减少切换和传导损耗 ### MOSFET 晶体管，Vishay SemiconductorINFINEON SPP20N60C3.. 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 VVISHAY SIHP22N60E-GE3. 场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 21A, TO-220AB-3
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管中高压MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
漏源极电阻 0.15 Ω 190 mΩ 0.15 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 227 W 208 W 227 W
阈值电压 2 V 3 V 2 V
漏源极电压(Vds) 600 V 650 V 600 V
输入电容(Ciss) 1920pF @100V(Vds) 2400pF @25V(Vds) 1920pF @100V(Vds)
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 227 W 208 W 227 W
通道数 - 1 1
针脚数 - 3 3
上升时间 - 5 ns 68 ns
下降时间 - 4.5 ns 54 ns
额定电压(DC) - 650 V -
额定电流 - 20.7 A -
额定功率 - 208 W -
漏源击穿电压 - 600 V -
连续漏极电流(Ids) - 20.7 A -
额定功率(Max) - 208 W -
长度 10.51 mm 10 mm 10.51 mm
宽度 4.65 mm 4.4 mm 4.65 mm
高度 15.49 mm 15.65 mm 9.01 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
包装方式 Tube Tube Tube
产品生命周期 - Not Recommended for New Design -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
ECCN代码 - EAR99 -
香港进出口证 - NLR -