对比图
型号 IPD25CN10NGATMA1 IPD33CN10NGBUMA1 IPD25CN10NGBUMA1
描述 DPAK N-CH 100V 35AInfineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD33CN10NGBUMA1, 27 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装DPAK N-CH 100V 35A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
通道数 - - 1
漏源极电阻 0.019 Ω - 19 mΩ
极性 N-Channel N-CH N-CH
耗散功率 71 W 58W (Tc) 71 W
阈值电压 3 V - 2 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 - - 100 V
连续漏极电流(Ids) 35A 27A 35A
上升时间 4 ns - 4 ns
输入电容(Ciss) 2070pF @50V(Vds) 1570pF @50V(Vds) 2070pF @50V(Vds)
下降时间 3 ns - 3 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 71W (Tc) 58W (Tc) 71W (Tc)
额定功率(Max) 71 W - -
长度 6.5 mm 6.73 mm 6.5 mm
宽度 6.22 mm 6.223 mm 6.22 mm
高度 2.3 mm 2.413 mm 2.3 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -