对比图
型号 IRF1010NPBF STP60NF06L STP65NF06
描述 INTERNATIONAL RECTIFIER IRF1010NPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 55V, 85A TO-220AB 新N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STP65NF06 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 11.5 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 55.0 V 60.0 V 60.0 V
额定电流 85 A 60.0 A 60.0 A
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 11 mΩ 0.014 Ω 0.0115 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 180 W 110 W 110 W
阈值电压 - 1 V 4 V
漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 55 V 60.0 V 60 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±15.0 V -
连续漏极电流(Ids) 85.0 A 60.0 A 30.0 A
上升时间 76 ns 220 ns 60 ns
输入电容(Ciss) 3210pF @25V(Vds) 2000pF @25V(Vds) 1700pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 180 W 110 W 110 W
下降时间 48 ns 30 ns 16 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 110W (Tc) 110W (Tc)
通道数 1 - 1
输入电容 3210pF @25V - 1.70 nF
栅电荷 - - 75.0 nC
产品系列 IRF1010N - -
长度 10.66 mm 10.4 mm 10.4 mm
宽度 4.4 mm 4.6 mm 4.6 mm
高度 16.51 mm 9.15 mm 15.75 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
ECCN代码 - EAR99 -