对比图
型号 FDB3682 NTB52N10T4G STB35NF10T4
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB3682 晶体管, MOSFET, N沟道, 32 A, 100 V, 0.032 ohm, 10 V, 4 V52A,100V功率MOSFETN 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V
额定电流 32.0 A 52.0 A 40.0 A
通道数 1 1 -
漏源极电阻 0.032 Ω 30 mΩ 0.03 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 95 W 178 W 115 W
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 100 V 100 V 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 32.0 A 52.0 A 40.0 A
上升时间 46 ns 95 ns 60 ns
输入电容(Ciss) 1250pF @25V(Vds) 3150pF @25V(Vds) 1550pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 95 W 2 W 115 W
下降时间 32 ns 100 ns 15 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 95W (Tc) 2W (Ta), 178W (Tc) 115W (Tc)
针脚数 3 - -
阈值电压 4 V - 3 V
输入电容 1.25 nF - -
栅电荷 18.5 nC - -
长度 10.67 mm 10.29 mm 10.75 mm
宽度 11.33 mm 9.65 mm 10.4 mm
高度 4.83 mm 4.83 mm 4.6 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 -