对比图
型号 APT6010JFLL STE40NC60 APT6010JLL
描述 功率MOS 7TM是新一代低损耗，高电压，N沟道增强型功率MOSFET 。 Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics功率MOS 7TM是新一代低损耗，高电压，N沟道增强型功率MOSFET 。 Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体) Microsemi (美高森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Screw Screw Screw
引脚数 4 4 -
封装 SOT-227 ISOTOP SOT-227
额定电压(DC) 600 V 600 V 600 V
额定电流 47.0 A 40.0 A 47.0 A
额定功率 - 460 W -
漏源极电阻 - 130 mΩ -
极性 - N-Channel N-CH
耗散功率 520 W 460 W -
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
漏源击穿电压 - 600 V -
栅源击穿电压 - ±30.0 V -
连续漏极电流(Ids) 47.0 A 40.0 A 47.0 A
上升时间 17 ns 42 ns -
输入电容(Ciss) 6710pF @25V(Vds) 11100pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) - 460 W -
下降时间 10 ns 26 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -
耗散功率(Max) 520000 mW 460W (Tc) -
输入电容 6.71 nF - 6.71 nF
栅电荷 150 nC - 150 nC
长度 - 38.2 mm -
宽度 - 25.5 mm -
高度 - 9.1 mm -
封装 SOT-227 ISOTOP SOT-227
工作温度 - 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube, Rail
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free