对比图
型号 IRF1018ESPBF STB140NF55T4 STB85NF55T4
描述 Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3Pin(2+Tab) D2PAK TubeSTMICROELECTRONICS STB140NF55T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 VN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
漏源极电阻 7.1 mΩ 0.0065 Ω 0.0062 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 110 W 300 W 300 W
产品系列 IRF1018ES - -
阈值电压 4 V 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 60 V 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 79.0 A 80.0 A 40.0 A
输入电容(Ciss) 2290pF @50V(Vds) 5300pF @25V(Vds) 3700pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 110 W 300 W -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
额定电压(DC) - 55.0 V 55.0 V
额定电流 - 80.0 A 80.0 A
通道数 - 1 1
针脚数 - 3 -
漏源击穿电压 - 55.0 V 55 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V
上升时间 - 150 ns 100 ns
下降时间 - 45 ns 35 ns
耗散功率(Max) - 300W (Tc) 300W (Tc)
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 - 10.4 mm 10.4 mm
宽度 - 9.35 mm 9.35 mm
高度 - 4.6 mm 4.6 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 2015/12/17