DS1220AB-100IND和DS1220AB-100IND+

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1220AB-100IND DS1220AB-100IND+ DS1220AB-100

描述 16K非易失SRAM 16k Nonvolatile SRAMIC NVSRAM 16Kbit 100NS 24DIP16K非易失SRAM 16k Nonvolatile SRAM

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 24 - 24

封装 DIP-24 EDIP-24 DIP-24

电源电压(DC) 5.00 V, 5.25 V (max) - 5.00 V, 5.25 V (max)

时钟频率 100 GHz - 100 GHz

存取时间 100 ns 100 ns 100 ns

内存容量 16000 B - 2000 B

电源电压 4.75V ~ 5.25V 4.75V ~ 5.25V 4.75V ~ 5.25V

工作温度(Max) - 85 ℃ -

工作温度(Min) - 40 ℃ -

电源电压(Max) - 5.25 V -

电源电压(Min) - 4.75 V -

封装 DIP-24 EDIP-24 DIP-24

长度 - 38.1 mm -

宽度 - 18.8 mm -

高度 - 10.67 mm -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bulk Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台