FDD3670和FDD3682

对比图

型号 FDD3670 FDD3682 FDD3672

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD3670  晶体管, MOSFET, N沟道, 34 A, 100 V, 0.022 ohm, 10 V, 2.5 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD3682  晶体管, MOSFET, N沟道, 32 A, 100 V, 0.032 ohm, 10 V, 4 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD3672  晶体管, MOSFET, N沟道, 44 A, 100 V, 0.024 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V

额定电流 34.0 A 32.0 A 44.0 A

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.022 Ω 0.032 Ω 0.024 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 83 W 95 W 135 mW

阈值电压 2.5 V 4 V 4 V

输入电容 2.49 nF 1.25 nF 1.71 nF

栅电荷 57.0 nC 18.5 nC 24.0 nC

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 100 V 100 V 100 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 34.0 A 32.0 A 44.0 A

上升时间 10 ns 46 ns 59.0 ns

输入电容(Ciss) 2490pF @50V(Vds) 1250pF @25V(Vds) 1710pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 1.6 W 95 W 135 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3.8W (Ta), 83W (Tc) 95 W 135W (Tc)

通道数 1 1 -

下降时间 25 ns 26 ns -

长度 6.73 mm 6.73 mm 6.73 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm 5.59 mm

高度 2.39 mm 2.39 mm 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99